삼성전자, 초고성능 '8GB HBM2 D램' 공급 확대
삼성전자, 초고성능 '8GB HBM2 D램' 공급 확대
  • By 이준성 기자 (info@koreaittimes.com)
  • 승인 2017.07.18 10:18
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사진/ 삼성전자 제공

삼성전자는 18일 '8GB HBM2(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory) D램' 양산 규모를 빠르게 늘리며, 슈퍼컴퓨터(HPC) 시장뿐 아니라 네트워크, 그래픽카드 시장까지 공급을 본격 확대한다고 밝혔다.

삼성전자는 작년 6월 8GB HBM2 D램 양산을 시작해 인공지능(AI) 서비스에 활용되는 슈퍼컴퓨터용 메모리 시장을 개척한데 이어 기존 하이엔드 그래픽카드 시장까지 프리미엄 D램 활용처를 확대해왔다.

8GB HBM2 D램은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 전송 속도(32GB/s)보다 8배 빠른 초당 256GB 속도로 데이터 전송이 가능하다.

8GB HBM2 D램에는 삼성전자의 '초고집적 TSV 설계'와 '발열 제어 기술' 등 850여 건의 핵심 특허가 적용되어 고객들의 차세대 시스템에 고용량, 초고속, 초절전 등 최적의 솔루션을 제공한다.

이번 제품은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조다. 각 칩에 5천개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 'TSV 접합볼'로 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'이 적용됐다.

특히 대용량의 정보를 처리시 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 TSV로 경로를 전환시켜 최적의 성능을 유지할 수 있도록 했다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 한재수 부사장은 "업계에서 유일하게 양산 중인 8GB HBM2 D램 공급 확대로 고객들이 차세대 시스템을 적기에 출시하는 데 기여하게 됐다"며 "향후 차세대 HBM2 D램 라인업 출시를 통해 다양한 글로벌 고객들과 사업 협력 체제를 강화해 나갈 것"이라고 강조했다.

 


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