SK하이닉스가 세계 최초로 128단 1테라바이트 Triple Level Cell(TLC) 4D 낸드플래시 메모리를 개발하고 생산을 시작했다고 26일 밝혔다.
지난해 10월 96단 4D 낸드 개발 이후 8개월만의 성공이다.
SK하이닉스가 이번에 양산하는 128단 낸드는 업계 최고 적층으로, 한 개의 칩에 3bit를 저장하는 낸드셀l 3600억개 이상이 집적된 1Tb 제품이다.
SK하이닉스는 4D 낸드 최대 장점인 작은 칩사이즈의 특성을 활용해 초고용량 낸드를 구현했다.
4D 낸드는 지난해 10월 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 Charge Trap Flash (CTF)와 Peri Under Cell (FUC)를 결합한 혁신적 제품이다. 이는 마치 아파트 옥외주차장을 지하주차장으로 구조 변경해 공간효율을 극대화한 것에 비유할 수 있다.
SK하이닉스는 이번에 양산을 시작한 128단 4D 낸드플래시 메모리를 하반기부터 판매하고 다양한 솔루션 제품도 연이어 출시할 계획이다.
이 제품은 한 개의 칩 내부에 Plane 4개를 배치한 구조로 데이터 전송속도 1400Mbps를 저전압 1.2V로 구현하여 고성능 저전력 모바일 솔루션 및 기업용 SSD의 구현이 가능하다.
내년 상반기에는 차세대 UFS 3.1 제품을 개발해 스마트폰 주요 고객의 5G 등 플래그십 모델에 공급할 예정이다.
현재 스마트폰 업계 최대 용량인 1테라 제품의 낸드 개수가 반으로 줄여 소비전력은 20% 낮추고, 패키지(Package) 두께도 1mm로 얇은 모바일 솔루션을 고객들에게 제공할 수 있게 된다.
SK하이닉스 GSM담당 오종훈 부사장은 “128단 4D 낸드로 SK하이닉스는 낸드 사업의 경쟁력을 확보했다. 업계 최고 용량을 구현한 이 제품으로 고객들이 원하는 다양한 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다.
