삼성전자, 세계 최초 3나노 반도체 기술개발 성공
삼성전자, 세계 최초 3나노 반도체 기술개발 성공
  • 정소연
  • 승인 2020.01.02 22:32
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이재용 삼성전자 부회장 (오른쪽) / 사진제공 = 삼성전자

삼성전자가 세계 최초로 3나노미터 초미세 반도체 공정 기술을 개발에 성공했다.

이재용 삼성전자 부회장은 2일 삼성전자 화성사업장을 찾아 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고 받고 삼성전자 차세대 반도체를 담당하는 디바이스솔루션 부문 사장단과 전략을 논의했다.

이날 회의에는 디바이스솔루션 부문장인 김기남 부회장과 정은승 파운드리사업부 사장, 진교영 메모리사업부 사장, 강인엽 시스템LSI사업부 사장, 강호규 반도체연구소장(부사장) 등 주요 경영진이 모두 참석했다.

반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 GAA(Gate-All-Around)가 적용된 3나노 반도체는 GAA는 회로의 모든 면이 전류를 제어하는 게이트에 접촉된 구조로 최근 삼성전자가 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 35% 줄어드는 동시에 소비전력을 50% 감소시키고 처리 속도는 약 30% 향상시킬 수 있다. 

이 부회장은 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해 주지 않는다"며 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어 가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"라고 말했다.


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