평택공장 확대, 美 제2파운드리 공장 부지 선정 추진
삼성전자가 주로 모바일 분야에 적용했던 5나노 이하의 초미세 공정을 자동차 분야에 적극 활용하겠다고 말했다. 이와 함께 미국 현지에 지어질 제2파운드리에 대해서는 조만간 부지 선정을 마무리할 계획이다.
최시영 삼성전자 사장은 6일(현지시간) 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’ 기조연설에서 이같이 밝혔다. 최 사장은 “전 세계가 반도체 부족에 직면하고 있는 상황에서 PC, 서버 시장을 넘어 산업 전반에 IC(집적회로) 수요가 확대되고 있다”며 “이러한 현상이 얼마나 오래 지속될지 확실하지는 않지만 소수의 기업이 경쟁할 것으로 예상된다”고 말했다.
이어 “지금까지 5나노, 4나노 등 가장 진보된 공정에서 모바일 반도체 개발에 중점을 뒀지만 이제는 미래를 내다보고 다양한 사용자를 위한 프로세서를 개발하고 있다”며 “자동차 사용자를 위한 5나노 프로세서, 고속·초저전력 애플리케이션 등이 여기에 포함된다”고 강조했다.
최근 전기차, 자율주행차의 등장으로 세계적으로 전장에 대한 수요가 늘어나고 고성능·저전력 반도체에 대한 요구도 높아지고 있다. 삼성전자는 비록 후발주자지만 현재 보유한 파운드리 미세공정의 경쟁력을 앞세워 자동차용 반도체 시장을 공략한다는 전략이다.
최근에는 테슬라가 차세대 자율주행 자동차에 탑재할 반도체 생산을 삼성전자에 맡길 것으로 알려졌다. 업계에서는 테슬라가 전 세계 파운드리 점유율 1위인 대만의 TSMC보다 삼성전자 파운드리의 칩 설계 능력과 기술, 가격 대비 성능 등에서 긍정적인 평가를 했을 것으로 보고 있다.
최 사장은 “자동차용으로 자동차용 기능 안정 규격(ISO26262)과 자동차 부품 신뢰성 평가규격(AEC-Q100) 인증을 충족한 안전보안 솔루션도 준비해 지속적으로 서비스 품질을 개선할 것”이라고 말했다.
그러면서 “삼성전자 파운드리 사업부는 2017년 독립사업으로 출범한 이후 공정기술 제조, 서비스 고도화 등을 통해 안정적인 사업 기반을 구축했다”며 “자동차와 고성능 컴퓨팅 부문에서도 전임자의 발자취를 따라 성장할 수 있을 것”이라고 강조했다.
최 사장은 향후 파운드리 팹 투자 계획에 대해 “삼성전자는 국내 기흥·화성·평택 공장과 미국 내 오스틴 텍사스 파운드리를 운영하고 있다”며 “현재 평택에 4나노 이하 공정에서 제품을 생산할 새로운 공간을 추가하고 있는데 이 곳에서는 3나노 게이트올어라운드(GAA) 제품 확대에 기여할 것”이라고 강조했다. 또 미국 제2파운드리 공장 부지 선정에 대해서는 “새 부지를 선정하는데 몇 가지 옵션을 고려하고 있다”며 “이제 곧 계획이 나올 것”이라고 설명했다.
이날 포럼에서 삼성전자 파운드리의 초미세 공정 로드맵이 소개됐다. 최 사장은 “내년 상반기 반도체 GAA기술을 기반으로 한 3나노 공정을 상용화하고 2025년에는 2나노 양산을 시작할 것”이라고 밝혔다.
삼성전자가 2나노 양산 일정을 공개한 것은 이번이 처음이다. 내년 말로 예상됐던 3나노 반도체 생산 시기도 6월로 구체화했다. 이와 함께 3나노 공정의 경우 안정적인 생산 수율을 확보하며 양산을 위한 준비가 이루어지고 있다고 했다.
17나노 핀펫 신공정도 발표했다. 해당 기술은 현재 28나노 공정에 비해 성능과 전력 효율에서 향상될 것으로 기대되고 있다. 최 사장은 “CIS(이미지센서)나 고전압 모바일 디스플레이드라이버IC(DDIC)에서 비용 효율을 높일 것”이라고 강조했다.
