삼성, 오는 2030년 파운드리 업계 1위 도약 목표
미국 텍사스 테일러시 의회가 최근 삼성전자의 미국 제2파운드리 공장 부지 개발을 위한 행정 절차에 착수했다.
17일 외신에 따르면 테일러 시의회는 지난 13일(현지시간) 회의를 열어 삼성전자가 요청한 시 경계 외곽 지역을 개발 계획에 편입해 공장 부지에 병합하는 내용의 조례를 승인했다. 해당 조례에는 윌리엄슨 카운티 일부 도로에 위치한 약 1268.23에이커 규모의 토지 구획을 병합하는 내용 등이 포함됐다.
업계 관계자는 “산업단지를 조성할 때 토지 병합과 토지 용도 변경 등의 행정절차가 이뤄진다”며 “해당 구역은 테일러 시 구역에 포함돼 있지 않았던 토지로 이번 조례가 통과되면서 토지 구획에 병합되는 것으로 삼성전자와 테일러 시는 신규 공장 건설 계약 당시 이 사항을 협의한 것으로 알고 있다”고 전했다.
삼성전자는 2024년 하반기 가동 목표로 올해 상반기 중 공사를 시작할 계획이다. 이번에 건설되는 신규 공장에는 삼성전자의 미국 투자 중 역대 최대 규모인 170억달러(약 20조원)가 투입될 예정이다. 미국 현지에서는 이 공장에서만 785개의 간접 일자리와 1800개의 직접 고용 등 2585개의 새로운 일자리가 창출될 것으로 분석하고 있다.
20조원 규모의 신규 공장 건립은 ‘시스템반도체 비전 2030’의 핵심 과제로 삼성전자는 올해 경기도 평택캠퍼스의 3번째 반도체 생산라인 ‘P3’ 공장 완공, ‘P4’ 착공이라는 대규모 설비투자·증설을 앞두고 있다. 삼성전자는 미국 제2파운드리 공장이 평택 3라인과 함께 ‘시스템반도체 비전 2030’ 달성을 위한 핵심 생산기지 역할을 할 것으로 기대하고
삼성전자는 ‘시스템반도체 비전 2030’ 비전을 통해 오는 2030년 파운드리 업계 1위인 대만의 TSMC를 제치고 시스템 반도체 시장 1위로 도약한다는 계획을 밝힌 바 있다. 지난해 3분기 기준으로 삼성전자의 글로벌 파운드리 시장 점유율은 17.1%로 1위인 TSMC의 53.1%에 크게 뒤처져 있다.
한편 외신에 따르면 업계 1위인 TSMC는 올해 역대 최대인 440억달러 규모의 설비투자 계획을 밝혔다. 이는 지난해 투자액인 300억 달러를 크게 웃도는 규모다. TSMC는 “투자액의 70~80%를 초미세 공정인 2·3·5·7나노미터 공정개발에 투입할 계획”이라고 밝혔다.
업계에서는 TSMC의 이번 투자가 2위인 삼성전자와의 경쟁에서 1위를 굳히기 위한 전략으로보고 있다. TSMC의 시장점유율이 삼성전자를 크게 앞지르고 있지만 5나노 이하 초미세 공정에서는 두 회가가 치열하게 점유율 경쟁을 벌이고 있다.
나노 수치는 반도체 칩의 회로 선폭 규격을 가리키는 것으로 회로의 선폭을 가늘게 만들수록 더 많은 소자를 집적할 수 있어 성능을 높이는 데 유리하다. 삼성전자는 TSMC보다 앞선 초미세 공정 기술력을 통해 투자 규모의 격차를 극복하겠다는 전략이다.
전 세계에서 5나노 공정을 할 수 있는 곳은 TSMC와 삼성전자뿐이다. 두 회사는 현재 3나노대에서 기술경쟁을 벌이고 있다. 삼성전자는 올해 상반기 세계 최초로 3나노 반도체를 양산하고, 오는 2025년에는 2나노 반도체 생산에 나선다는 계획이다.
TSMC는 최근 설명회에서 올해 하반기 3나노 양산에 들어갈 계획이라고 밝혔다. 두 회사가 밝힌 계획을 감안하면 3나노 반도체 생산은 삼성전자가 TSMC보다 한발 앞서 있는 것으로 보인다.
업계 관계자는 "파운드리에만 투자하는 TSMC와 달리 삼성전자는 종합반도체 기업이기 때문에 투자가 분산될 수밖에 없다"면서 "때문에 당장 점유율 격차를 좁히기는 어렵지만, 첨단 공정에서는 TSMC와 경쟁할 수 있을 것"이라고 말했다.
